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        月產(chǎn)量10萬片!長江存儲推出192層3DNAND閃存芯片

        時間:2022-05-19 10:11:29       來源:芯智訊

        據(jù)報(bào)道,長江存儲最已向一些客戶交付了其自主研發(fā)的192層3D NAND閃存的樣品,預(yù)計(jì)將在今年年底前正式推出相應(yīng)產(chǎn)品。

        上述消息人士表示,順利推出192層3D NAND閃存芯片,是長江存儲的一個里程碑。該公司正努力在NAND技術(shù)上追趕領(lǐng)先的韓國及美國競爭對手。

        消息人士稱,目前長江存儲的128層3D NAND工藝良率已改善至令人滿意的水,也將月產(chǎn)量擴(kuò)大至10萬片晶圓。

        該公司將很快完成其總部位于武漢的工廠二期設(shè)施的建設(shè),設(shè)備入駐預(yù)計(jì)將在今年晚些時候啟動。到2023年底,長江存儲月產(chǎn)量可能超過20萬片,全球市場份額有望達(dá)到7~8%。

        值得注意的是,日,存儲芯片大廠美光(Micron)發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,并計(jì)劃將這款 232 層堆棧 3D NAND Flash芯片應(yīng)用于包括固態(tài)硬盤等產(chǎn)品上,預(yù)計(jì)在 2022 年底左右開始量產(chǎn),并將在2023年推出的新款SSD中使用。

        此外,三星電子預(yù)計(jì)也將在2022年下半年推出200層以上3D NAND閃存。

        資料顯示,長江存儲成立于2016年7月,由紫光集團(tuán)、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北科投在武漢新芯的基礎(chǔ)上組建成立。據(jù)統(tǒng)計(jì),長江存儲總投資約1600億元。

        2016年12月,以長江存儲為主體的國家存儲器基地正式開工建設(shè),其中包括3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套建筑,預(yù)計(jì)項(xiàng)目建成后總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元。

        依托武漢新芯已有的12英寸先進(jìn)集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ),采取自主研發(fā)與國際合作雙輪驅(qū)動的方式,長江存儲已于2017年研制成功了中國第一顆3D NAND閃存芯片。

        隨著2018年長江存儲的32層NAND Flash的量產(chǎn),國產(chǎn)閃存芯片終于實(shí)現(xiàn)了重大突破。

        不過,由于該技術(shù)與國際主流技術(shù)相差較大,所以并未在市場獲得成功。

        2019年9月,長江存儲正式宣布,成功量產(chǎn)基于自研的Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND Flash。

        該閃存滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求,與目前業(yè)界已上市的64/72層3D NAND閃存相比,其擁有同代產(chǎn)品中更高存儲密度。

        隨后長江存儲的64層256Gb TLC 3D NAND閃存還成功打入了華為Mate40系列的供應(yīng)鏈。

        為了進(jìn)一步縮短與三星、SK海力士、鎧俠等公司的差距,長江存儲跳過了96層,直接進(jìn)行了128層3D NAND Flash的研發(fā)。

        2020年4月13日,長江存儲宣布其128層QLC 3D NAND 閃存(型號:X2-6070)研發(fā)成功,并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲產(chǎn)品上通過驗(yàn)證。

        據(jù)介紹,長江存儲X2-6070是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存,擁有業(yè)內(nèi)已知型號產(chǎn)品中最高單位面積存儲密度,最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。

        此次同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC(3 bit/cell)規(guī)格閃存芯片(型號:X2-9060),單顆容量512Gb(64GB),以滿足不同應(yīng)用場景的需求。

        2020年8月,長江存儲又推出自有存儲品牌“致鈦”,隨后推出了一系列自有品牌SSD產(chǎn)品,并在市場上獲得了不錯的表現(xiàn)。

        去年10月,國外權(quán)威研究機(jī)構(gòu)Tech Insights對長江存儲的128層TLC 3D閃存進(jìn)行了芯片級的拆解,發(fā)現(xiàn)其存儲密度達(dá)到了目前業(yè)界最高的8.48 Gb/mm²,遠(yuǎn)高于三星、美光、SK海力士等一線NAND芯片大廠。

        今年3月底,業(yè)內(nèi)傳出消息稱,長江存儲已正式打入蘋果iPhone的NAND Flash供應(yīng)鏈,為iPhone SE 3供應(yīng)NAND Flash芯片。

        關(guān)鍵詞: 長江存儲 固態(tài)硬盤 產(chǎn)業(yè)投資基金 紫光集團(tuán)

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